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    跟着激光于工业、通讯等范畴的连续渗入，对于上游焦点芯片提出更高要求，长光华芯适应市场需求，连续优化工艺、立异技能，有用晋升半导体激光芯片的功率、效率、速度等要害指标，别离于EEL及VCSEL芯片上取患上显著成效，相干结果均于有影响力的国际期刊发表：

01EEL

多结单管芯片功率超132W

于超高功率单管芯片布局设计与研制技能上取患上冲破性进展，研制出的双结单管芯片室温持续功率跨越132W（芯片条宽 500 m），事情效率 62%，是迄今为止已经知报导的单管芯片功率最高程度记载，开启了百瓦级单管芯片新纪元！

该研究结果于国际SCI知名期刊《photonics》上发表。

02EEL

780nm宽条DFB激光器功率冲破10W

于高功率及窄谱宽激光器方面霸占了如光栅设计及质料生长等多个难点，取患上冲破性进展，开发的780nm宽条漫衍反馈（DFB）激光器室温持续输出功率跨越10W。创下了780nm波段DFB激光器的最高纪录，同时于宽电流与温度规模内连结了优良的锁波特征。

该研究结果于光子学范畴权势巨子期刊《IEEE Photonics Journal》上发表。

03VCSEL

多结VCSEL电光效率达74%

霸占低损耗多结VCSEL布局，将面发射芯片效率从20年前的61%一跃提高至74%，打破近20年来VCSEL效率成长阻滞的场合排场，转变了VCSEL于效率上没法跨越边发射激光器的固有认知！

该研究结果发表于国际光学前三的Light: Science Applications上。

04VCSEL

单模VCSEL功率效率刷新世界纪录

构建了多结VCSEL的模式阐发模子，解决了单模功率难以冲破10mW摆布程度的难题，于直流驱动下实现了20.2mW的单基横模激光输出，功率转换效率达42%，发散角为9.8 (1/e2)及5.1 (FWHM)。这是迄今为止单颗VCSEL的最高单模功率，其功率值靠近现有单模功率记载的两倍。

该研究结果发表于国际光学范畴头部期刊Photonics Research。

文章来历：长光华芯

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