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    据韩媒etnews报导，三星电子及SK海力士已经经最先举行高带宽存储器（HBM）晶圆的工艺技能转换，这一转换以避免晶圆翘曲的新技能引入为焦点，被认为是针对于下一代HBM。估计跟着工艺转换，质料及装备供给链也将发生变化。

据悉三星电子及SK海力士，近来正于与互助伙伴一路开发将HBM用晶圆剥离（解键合）工艺改成激光要领。

晶圆解键合是于工艺中将变薄的晶圆从姑且载片上分散出来的事情。半导体系体例造历程中，主晶圆及载体晶圆是经由过程粘合剂粘于一路的，然后用刀片剥离，是以被称为机械解键合。

跟着HBM的层数增长，如12层或者16层，晶圆变患上更薄，利用刀片分散的要领面对极限。晶圆厚度小在30微米时，担忧会毁坏晶圆，是以蚀刻、抛光、布线等工艺步调增长，同时需要利用顺应超高温情况的新型粘合剂，这也是两家公司选择利用激光而不是传统机械方式的缘故原由。

认识该问题的相干行业人士注释说： 为了应答极限工艺情况，需要更强的粘合剂，而这类粘合剂没法经由过程机械方式分散，是以引入了激光这一新技能 ，并暗示 这是为了不变地分散主晶圆及载体晶圆的测验考试 。

三星电子及SK海力士正于思量利用极紫外（EUV）激光及紫外线（UV）激光等多种方式。

激光解键合被认为将起首引入到16层HBM4。HBM4于重叠DRAM存储器的底部利用基在体系半导体的 基础芯片 ，是以需要更邃密的工艺及更薄的晶圆，是以激光方式被认为是适合的。

当运用激光时，相干的质料及装备供给链变化是不成防止的。现有的机械方式由日本东京电子及德国S SS MicroTec盘踞市场前两位。激光方式可能会有更多的装备企业进入，估计将睁开激烈的争取战。

晶圆解键合粘合剂重要由美国3M、日本信越化学、日产化学、TOK等供给。据悉，这些公司也于开发可以用在激光方式而不是现有机械方式的新型粘合质料。

文章来历：集微网

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