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    6月11日，高端半导体激光器芯片提供商纵慧芯光半导体科技有限公司(简称纵慧芯光)公布，其砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)化合物半导体工场FabX完成通线，标记着纵慧芯光于高端光电子芯片范畴的又一庞大冲破，助力中国于高速光通讯、激光雷达等焦点芯片的自立化成长。

2024年4月纵慧芯光完成数亿元人平易近币的C4轮融资，这次融资方针是加快产物技能研发及光通讯产线结构。

据公然资料显示，纵慧芯光FabX项目投资范围到达5.5亿元人平易近币，计划用地40亩，方针设置装备摆设一条年产能为5000万片芯片的半导体激光芯片出产线，同时配备进步前辈的研发中央及测试中央。用时一年时间，纵慧芯光FabX完成为了厂房设计、设置装备摆设和装备选型调试，并霸占了产物外延布局设计、Fab工艺开发等多项技能难题，乐成实现项目通线。

半导体激光器芯片于光通讯的重要运用是光模块。按照ICC讯石咨询数据显示，2025年全世界光模块市场将达220亿美元，估计2029年该市场增加至312.00亿美元，复合增加率为7.24%。全世界光模块市场增加焦点驱动力是AI算力、云计较、5G/6G无线及光接入以和城域主干收集等场景速度进级。特别是Hyperscaler踊跃部署AI算力集群互连，鞭策了400G及800G光模块交付范围创下汗青新纪录。

可是，AI算力互连需求急剧增加跨越全世界财产链的供给能力，只管主流激光器供给商已经于2024年扩产加年夜供给，但高速光芯片欠缺依然延伸了交货周期，光模块客户面对很年夜的光电子芯片缺口。这赐与中国光电子芯片厂商突起的市场时机。

于光通讯范畴，纵慧芯光已经在2023年实现50G PAM4 VCSEL芯片发卖。100G PAM4 VCSEL样品指标与国际头部厂商对于齐，于谱宽指标方面优在国际头部厂商，有益在更远间隔的旌旗灯号传输，估计2025年最先量产，以满意求过于供的AI市场。

纵慧芯光FabX工场结构砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)化合物半导体技能质料平台，将使纵慧芯光成为成为更周全的半导体光电器件提供商，对准AI算力驱动下高速光通讯市场对于高端VCSEL、EML、年夜功率CW DFB等半导体激光器芯片求过于供的上升需求，为全世界客户提供更高品质的产物及办事，助力公司于全世界市场中盘踞更有益的竞争职位地方。

转自：ICC

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